在航空航天領(lǐng)域，按鈕開關(guān)作為關(guān)鍵控制元件，其性能直接影響系統(tǒng)可靠性。航空航天環(huán)境復雜，存在輻射與真空等特殊條件，研究按鈕開關(guān)的抗輻射與真空放電特性具有重要意義。

一、抗輻射特性
航空航天中的輻射環(huán)境會對按鈕開關(guān)造成損害。例如，典型國產(chǎn)VDMOS宇航應用的輻照及熱應力可靠性研究表明，輻照會導致器件閾值電壓、漏電流等關(guān)鍵技術(shù)參數(shù)變化。為提高抗輻射能力，可從工藝、電路、版圖三個角度進行加固設(shè)計。如采用SOI工藝，對電路進行抗輻照設(shè)計，在版圖設(shè)計上對模擬地與功率地、模擬電源與功率電源分開設(shè)計，對開關(guān)噪聲較大的輸出功率級采用襯底環(huán)隔離。

二、真空放電特性
真空環(huán)境中，按鈕開關(guān)可能發(fā)生放電現(xiàn)象。真空放電是靠陰極斑點維持的，完成主間隙的導通首先要在主陰極上形成斑點。以真空觸發(fā)開關(guān)（TVS）為例，其觸發(fā)結(jié)構(gòu)不同會影響放電特性。沿面擊穿型觸發(fā)結(jié)構(gòu)，觸發(fā)電極與主電極間陶瓷沿面距離較小，為降低觸發(fā)電壓和觸發(fā)能量，可在陶瓷表面涂敷觸發(fā)材料，但觸發(fā)壽命較短。

三、研究展望
目前，航空航天用按鈕開關(guān)在抗輻射與真空放電特性方面仍存在一些問題。未來，可進一步深入研究輻射效應的機理，開發(fā)更精確的輻射模型和仿真庫，以提高電路的抗輻照能力。同時，優(yōu)化按鈕開關(guān)的觸發(fā)結(jié)構(gòu)，提高其真空放電性能和壽命，滿足航空航天領(lǐng)域?qū)Ω咝阅馨粹o開關(guān)的需求。

通過對航空航天用按鈕開關(guān)的抗輻射與真空放電特性研究，可為相關(guān)產(chǎn)品的設(shè)計和應用提供理論支持和技術(shù)保障，推動航空航天技術(shù)的發(fā)展。